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    湾湾不是中国大陆，它没有受到欧美的技术封锁，台积电的芯片制造设备和英特尔的芯片制造设备没有什么代差。

    之所以工艺制程差了整整一代，是因为最新的铜互联工艺还没有取得突破，当然还有其它方面的原因，整个芯片制程有上千道工序，各个芯片厂家都有自己的拿手技术，这一点，英特尔公司肯定要比新生的台积电强上不止一筹。

    在铜互联工艺以前，大家都是铝互联工艺，可是铝互联工艺到了0.5微米制程时，就基本达到了技术瓶颈，再也无法突破。

    这事要说清楚很复杂，总之是铝材料本身的性质决定了铝线带宽以及时钟频率。

    大家都知道铝的电阻是2.8μΩ.cm，而铜的电阻是1.7μΩ.cm，这就使得铜导线可以做得更薄更窄，相应的就提高了单位面积内晶体管的容量。

    这就是0.5微米制程工艺向0.35微米制程工艺跨进的一个技术背景。

    铜互联工艺是IBM公司发明的，但是他们现在也只做到实验室验证的水平，并没有真正实用。

    正因为如此，IBM公司在94年就大肆向其他晶圆企业兜售他们这种并不成熟的铜互联技术。

    其中也向台积电兜售了，但是当时台积电可能是资金短缺的原因，没有出钱买，倒是同为晶圆代工企业的台联电出资购买了。

    九十年代的台积电因为技术实力不够雄厚，倒致制程工艺比英特尔低了一个级别。

    这使得他们只能代工一些低端工艺的芯片，利润非常微薄，总之，这个时候的台积电还在苦苦挣扎，还没有一飞冲天。

    铜互联技术，原理很简单，看起来好像就是把铝换成铜这样简单，其实不是那么容易。

    其中最大的问题就是铜不与晶体管相粘，就是这个简单的问题难住了所有的晶圆企业。

    要知道芯片内部是非常非常的精密，在我们人眼看不到的内部，如果用一千倍的电子显微镜观看，里面的晶体管与金属电路，是纵横交错，密密麻麻。

    特别是金属电路，不是一层那么简单，而是多达两三层。

    在这么精密的狭窄空间内，要想解决这个铜线与晶体管不粘连的问题，确实非常困难。

    在没有前人经验的基础上，科学家们只能通过广撒网的方式，一一实验各种粘接材料。
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